Détails sur le produit:
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Matériel: | Silicium | paquet: | DO-41 |
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Température de fonctionnement: | -65 à +175℃ | Max. Forward Current: | 1A |
Tension inverse maximale: | 1000V | Tension en avant maximale: | 1V |
Surligner: | 1n4007 Smd,redresseur de diode 1000v 1a,diode de redresseur in4007 |
emballage standard de munitions de bande de la diode de redresseur du silicium 1000V en plastique 1N4007 IN4007 5K PCS
Dessin de produit
SYMBOLES |
1N
4001
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1N
4002
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1N
4003
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1N
4004
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1N
4005
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1N
4006
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1N
4007
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UNITÉS | |
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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1,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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30 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
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VF
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1,0 | VOLTS | ||||||
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacité de jonction typique (NOTE 1)
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CJ
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15,0 |
PF
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Résistance thermique typique (NOTE 2)
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RθJA
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50,0 | ℃/W | ||||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +175 | ℃ |
Courbes caractéristiques
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398