Détails sur le produit:
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Matériel: | Silicium | trr: | 500ns |
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paquet: | DO-15 | Tension inverse maximale: | 800v |
Max. Forward Current: | 2A | Tension en avant maximale: | 1.3V |
Surligner: | diode rapide by299 de récupération,Diode rapide 800v de récupération,diode à haute tension de la récupération 2A rapide |
Dessin de produit
SYMBOLES |
BY296
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BY297
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BY298
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BY299
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UNITÉS | |
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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100 | 200 | 400 | 800 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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70 | 140 | 280 | 560 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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100 | 200 | 400 | 800 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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2,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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70,0 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 2.0A
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VF
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1,3 |
Volts
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Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃
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IR
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5,0 100,0 |
µA
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Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
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trr
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500 | NS | |||
Capacité de jonction typique (NOTE 2)
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CJ
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40,0 | PF | |||
Résistance thermique typique (NOTE 3)
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RθJA
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40,0 | ℃/W | |||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +150
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℃ |
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398