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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | trr: | 50ns |
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| paquet: | DO-27 | Tension inverse maximale: | 200V |
| Max. Forward Current: | 3A | Tension en avant maximale: | 1V |
| Surligner: | Diode HER303,Diode de redresseur 3A 200V,HER303 diode 3A 200V |
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| SYMBOLES |
SON 301
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SON
302
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SON
303
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SON
304
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SON
305
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SON
306
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SON
307
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SON
308
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UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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3,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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150,0 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 6.0A
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VF | 1,0 | 1,3 | 1,7 |
Volts
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Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10
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5,0 150 |
µA | ||||||||
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Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
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trr
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50 | 70 | NS | ||||||
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Capacité de jonction typique (NOTE 2)
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CJ
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70,0 | 50,0 | PF | ||||||
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Résistance thermique typique (NOTE 3)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | |||||||
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +150
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℃ | |||||||
Contour de produit
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
