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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | paquet: | DO-41 |
|---|---|---|---|
| trr: | 50ns | Tension en avant maximale: | 1.25V |
| Max. Forward Current: | 1A | Tension inverse maximale: | 600V |
| Surligner: | mur160 diode 1a 400v,MUR120 diode 1a 200v,MUR160 diode 1a 600v |
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| SYMBOLES | MUR 105 | MUR 110 | MUR 120 | MUR 140 | MUR 160 | MUR 180 | MUR 1100 | UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | VOLTS |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃ | JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampères | ||||||
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 30 | Ampères | ||||||
Tension en avant instantanée maximum à 6.0A | VF | 0,95 | 1,25 | 1,65 | Volts | ||||
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10 | IR | 5,0 50,0 | µA | ||||||
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) | trr | 25 | 50 | 75 | NS | ||||
Capacité de jonction typique (NOTE 2) | CJ | 25,0 | PF | ||||||
Résistance thermique typique (NOTE 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à +150 | ℃ | ||||||
Dessin de produit
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
