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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | Température de fonctionnement: | -65 à +175℃ |
|---|---|---|---|
| Tension inverse maximale: | 1000V | Max. Forward Current: | 1.5A |
| paquet: | DO-15 | Tension en avant maximale: | 1V |
| Surligner: | diode de redresseur d'usage universel de 1.5A 1000V,diode de redresseur 1n5399,diode 1n5393 |
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Dessin de produit
| SYMBOLES |
1N
5391
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1N
5392
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1N
5393
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1N
5394
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1N
5395
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1N
5396
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1N
5397
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1N
5398
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1N
5399
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UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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3,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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150 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
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VF
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1,0 | VOLTS | ||||||||
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Inverse maximum de C.C TA=25 actuel au C.C évalué tension de blocage TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacité de jonction typique (NOTE 1)
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CJ
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30,0 |
PF
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Résistance thermique typique (NOTE 2)
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RθJA
|
20,0 | ℃/W | ||||||||
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +175 | ℃ | ||||||||
Courbes caractéristiques
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
