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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | paquet: | DO-27 |
|---|---|---|---|
| Température de fonctionnement: | -65 à +175℃ | Tension inverse maximale: | 1000V |
| Max. Forward Current: | 3A | Tension en avant maximale: | 1V |
| Surligner: | diode de redresseur 3A,diode de redresseur 1N5406,diode de redresseur 1N5408 |
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Diode de redresseur standard de silicium 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Dessin de produit
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SYMBOLES
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1N
5400
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1N
5401
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1N
5402
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1N
5403
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1N
5404
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1N
5405
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1N
5406
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1N
5407
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1N
5408
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UNITÉS
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié actuel 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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3,0 |
Ampères
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Moitié simple avant maximale du courant de montée subite 8.3ms sinus-vague superposée à la charge évaluée (Méthode de JEDEC)
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IFSM
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150 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
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VF
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1,0 | VOLTS | ||||||||
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Inverse maximum de C.C TA=25 actuel à évalué Tension de blocage de C.C TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacité de jonction typique (NOTE 1)
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CJ
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30,0 |
PF
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Résistance thermique typique (NOTE 2)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | ||||||||
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Jonction et température de stockage fonctionnantes gamme
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TJ, TSTG
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-65 à +175 |
℃ | ||||||||
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
