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Aperçu ProduitsDiode de redresseur de barrière de Schottky

Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double

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Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double

Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double
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Image Grand :  Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: trusTec
Certification: ROHS
Numéro de modèle: MBR1060CT
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: PCs 1K
Prix: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Détails d'emballage: 50 PCS par tube, 1K PCS par boîte, 5K PCS par carton.
Délai de livraison: 10 produits frais de jours de travail
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 800KK PCS par mois

Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double

description de
Type de produit: Double diode de Schottky Max. Forward Current: 10A
Tension inverse maximale: 60V Tension en avant maximale: 0.75V
Max. Reverse Current: 0.2mA Température de fonctionnement: -55°C | 150°C
Paquet: TO-220AB Emballage: Emballage de tube
Surligner:

Diode de MBR1060 Schottky

,

doubles diodes de barrière de Schottky de série

,

transistor mbr2060ct 10A 60V

Double diode de redresseur de barrière de Schottky MBR1060 MBR1060CT MBR1660CT MBR2060CT

 

Type Actuel Paquet
MBR1020 PAR MBR10200 10 TO-220AC
MBR1520 PAR MBR15200 15 TO-220AC
MBRF1020 PAR MBRF10200 10 ITO-220AC
MBR1020CT PAR MBR10200CT 10 TO-220AB
MBR2020CT PAR MBR20200CT 20 TO-220AB
MBR3020CT PAR MBR30200CT 30 TO-220AB
MBR4020CT PAR MBR40200CT 40 TO-220AB
MBRF1020CT PAR MBRF10200CT
10 ITO-220AB
MBRF1520CT PAR MBRF15200CT 15 ITO-220AB
MBRF1620CT PAR MBRF16200CT 16 ITO-220AB
MBRF2020CT PAR MBRF20200CT 20 ITO-220AB
MBRF4020CT PAR MBRF40200CT 40 ITO-220AB

 

MBR1020CT PAR MBR10200CT
REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY
Tension inverse - 20 à 200 volts en avant d'actuel - 10 ampères
 
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 0
 

Caractéristiques du produit

 

Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Jonction de silicium en métal, conduction de transporteur de majorité
Perte de puissance faible, rendement élevé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure à hautes températures a garanti :
260 C/10 secondes, 0,25" (6.35mm) du cas
Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, libèrent
roulement, et applications de protection de polarité
 
Données mécaniques
 
Cas : JEDEC TO-220AB a moulé en plastique
Terminaux : Avances, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : Comme marqué
Position de montage : Quels
Poids : 0,08 onces, 2,24 grammes
 
ESTIMATIONS MAXIMUM
 
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
  SYMBOLES
MBR
1020
CT

MBR

1030

CT

MBR

1040

CT

MBR

1050

CT

MBR

1060

CT

MBR

1070

CT

MBR

1080

CT

MBR

1090

CT

MBR

10100

CT

MBR

10150

CT

MBR

10200

CT

UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200 VOLTS
Tension maximum de RMS VRMS 14 21 28 35 42 49 56 63 70 105 140 VOLTS
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200 VOLTS
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel la longueur d'avance (de 9.5mm) (voir le fig.1) JE (POIDS DU COMMERCE) 10,0 Ampères
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

 

IFSM

150,0

 

Ampères

Tension en avant instantanée maximum à 5.0A VF 0,65 0,75 0,85 0,95 Volts

Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C

à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃

IR 0,2 1 mA
15 20
Capacité de jonction typique (NOTE 1) CJ 550 450 PF
Résistance thermique typique (NOTE 2)
RθJC
2 ℃/W
Température ambiante fonctionnante de jonction TJ, -65 à +150
Température ambiante de température de stockage TSTG -65 à +150

 

Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
résistance 2.Thermal de la jonction à enfermer.
 
COURBES CARACTÉRISTIQUES
 
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 1
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 2
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 3
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 4
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 5
Série de la diode 10A 60V de MBR1660CT MBR2060CT MBR1060 Schottky double 6

Coordonnées
Changzhou Trustec Company Limited

Personne à contacter: Ms. Selena Chai

Téléphone: +86-13961191626

Télécopieur: 86-519-85109398

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