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Détails sur le produit:
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| Type: | DIAC | Matériel: | Silicium |
|---|---|---|---|
| Type de paquet: | SMD | paquet: | MINI MELF |
| Puissance: | 150mW | VBO: | 28-36V |
| Type de VBO: | 32V | IBOS: | 100μA |
| Surligner: | Mini Melf Diac Trigger Diod,diac db4,diac db4 |
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CONDITION D'ESSAI
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SYMBOLES
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VALEUR
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UNITÉS
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| Mn. | Type. | Maximum. | ||||
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Tension de suite
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C=22nF
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VBO
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35 | 40 | 45 |
VOLTS
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Symétrie de tension de suite
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C=22nF
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I+VBOI-I-VBOI
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-3
|
3 |
VOLTS
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Tension de suite dynamique
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(NOTE 1)
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± I D'I D V
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5 |
VOLTS
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Tension de sortie
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DIAGRAM2
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Vo
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5 |
VOLTS
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Courant de suite
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C=22nF
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IBOS
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100 |
mA
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Temps de montée
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DIAGRAM3 |
TR
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1,5 |
Mme
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Fuite actuelle
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VR=0.5VBO
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IB
|
10 |
mA
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Dissipation de puissance sur le circuit imprimé
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TA=65 C
|
Palladium
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150 |
mW
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Courant maximal répétitif de sur-état
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tp=20µs
f=100Hz
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ITRM
|
2 | |||
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Résistances thermiques de jonction à ambiant
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RQJA
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400 |
℃/W
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Résistances thermiques de la jonction à mener
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RQJL
|
150 | ℃/W | |||
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-40 | 125 | ℃ | ||
| Type | Tension de suite | Symétrie maximale de tension de suite | Courant de suite de Max. Peak | Tension de suite de Max. Dynamic | Courant de Sur-état de Max. Peak | Paquet | ||
| V | V | μA | V | |||||
| Mn. | Type. | Maximum. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
