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Aperçu ProduitsDiode de redresseur de barrière de Schottky

Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT

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Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT

Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT

Image Grand :  Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: trusTec
Certification: ROHS
Numéro de modèle: MBRF10100CT
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: PCs 1K
Prix: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Détails d'emballage: 50 PCS par tube, 1K PCS par boîte, 5K PCS par carton.
Délai de livraison: 10 produits frais de jours de travail
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 800KK PCS par mois

Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT

description de
Type: Double diode de Schottky Tension inverse maximale: 100v
Max. Forward Current: 10A IFSM: 125A
Tension en avant maximale: 0.85V Paquet: ITO-220AB
Surligner:

diode 10a 100v de Schottky

,

diodo mbrf20150ct Mbrf10100ct

,

transistor MOSFET mbrf10100ct MBRF20150CT

Double diode de redresseur de barrière de Schottky de boîtier en plastique 10A 20A 100V 200V MBRF10100CT MBRF20150CT
 
MBRF1020CT PAR MBRF10200CT
REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY
Tension inverse - 20 à 200 volts en avant d'actuel - 10 ampères
 
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 0
 

Caractéristiques du produit

 

Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Jonction de silicium en métal, conduction de transporteur de majorité
Perte de puissance faible, rendement élevé
Basse chute de tension en avant, capacité à forte intensité
La soudure à hautes températures a garanti :
260 C/10 secondes, 0,25" (6.35mm) du cas
Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, libèrent
roulement, et applications de protection de polarité
Anneau de garde pour la protection finie de tension
 
Données mécaniques
 
Cas : JEDEC ITO-220AB a moulé en plastique
Terminaux : Avances, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : Comme marqué
Position de montage : Quels
Poids : 1,74 grammes
 
ESTIMATIONS MAXIMUM
 
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
  SYMBOLES
MBR
1020
CT

MBR

1030

CT

MBR

1040

CT

MBR

1050

CT

MBR

1060

CT

MBR

1070

CT

MBR

1080

CT

MBR

1090

CT

MBR

10100

CT

MBR

10150

CT

MBR

10200

CT

UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200 VOLTS
Tension maximum de RMS VRMS 14 21 28 35 42 49 56 63 70 105 140 VOLTS
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200 VOLTS
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel la longueur d'avance (de 9.5mm) (voir le fig.1) JE (POIDS DU COMMERCE) 10,0 Ampères
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

 

IFSM

150,0

 

Ampères

Tension en avant instantanée maximum à 5.0A VF 0,7 0,8 0,85 0,95 Volts

Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C

à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃

IR 0,1 mA
15
Capacité de jonction typique (NOTE 1) CJ 500 PF
Résistance thermique typique (NOTE 2) RθJC 4 ℃/W
Température ambiante fonctionnante de jonction TJ, -65 à +150
Température ambiante de température de stockage TSTG -65 à +150

 

Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
résistance 2.Thermal de la jonction à enfermer.
 
COURBES CARACTÉRISTIQUES
 
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 1
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 2
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 3
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 4
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 5
Double diode de redresseur de barrière de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT 6

Coordonnées
Changzhou Trustec Company Limited

Personne à contacter: Ms. Selena Chai

Téléphone: +86-13961191626

Télécopieur: 86-519-85109398

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