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Détails sur le produit:
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| Type: | Diode de commutation | Type de paquet: | Par le trou |
|---|---|---|---|
| Tension inverse maximale: | 100v | Max. Forward Current: | 0.15A |
| Max. Reverse Current: | 5μA | Tension en avant maximale: | 1V |
| paquet: | SOD-323 | Application: | Alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur |
| Surligner: | diode de commutation rapide de bâti extérieur,diode de commutation 100v rapide,smd rapide de diode de changement |
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Dessin de produit
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Paramètre
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Symbole
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Limites
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Unité
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|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale non répétitive
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VRM
|
100
|
V
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Tension inverse maximale répétitive maximale
Tension inverse maximale fonctionnante
Tension de blocage de C.C
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VRRM
VRWM
VR
|
75 |
V
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Tension inverse de RMS
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VR (RMS)
|
53 |
V
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Courant continu en avant
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IFM
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300 |
mA
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Courant de sortie rectifié moyen
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E/S
|
150 |
mA |
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Courant de montée subite en avant maximal @=1.0μs
@=1.0s
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IFSM
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2,0 1,0 |
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Dissipation de puissance
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Palladium
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200 |
mW
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Jonction de résistance thermique à ambiant
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RθJA
|
625 |
℃ /W
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La température de jonction
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Tj
|
125 |
℃ |
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Température de stockage
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TSTG
|
-65~+150
|
℃ |
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Paramètre
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Symbole
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Mn.
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Type.
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Maximum.
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Unité
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Conditions
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|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension en avant
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VF1
|
- | - |
0,715
|
V
|
SI =1mA
|
|
VF2
|
- | - |
0,855
|
V
|
SI =10mA
|
|
|
VF3
|
- | - |
1,0
|
V
|
SI =50mA
|
|
|
VF4
|
- | - |
1,25
|
V
|
SI =150mA
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Courant inverse
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IR1
|
- | - |
1
|
μA
|
VR =75V
|
|
IR2
|
- | - | 25 |
Na
|
VR =20V
|
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Capacité entre les terminaux
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CT
|
- | - |
2
|
PF
|
VR =0V, f=1MHz
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Temps de rétablissement inverse
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trr
|
- | - |
4
|
NS
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SI =IR=10mA
Irr=0.1XIR, RL =100Ω
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Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
