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Aperçu ProduitsDiode de commutation rapide de petit signal

les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre

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les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre

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Image Grand :  les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: trusTec
Certification: ROHS
Numéro de modèle: 1N4148
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 5K PCS
Prix: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Détails d'emballage: 5K PCS par paquet de munitions, 100K PCS par carton.
Délai de livraison: 10 produits frais de jours de travail
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 800KK PCS par mois

les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre

description de
Type: Diode de commutation Type de paquet: Par le trou
paquet: DO-35 Tension inverse maximale: 100v
Max. Forward Current: 0.15A Max. Reverse Current: 5μA
Tension en avant maximale: 1V Application: Alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
Surligner:

diode de silicium 1n4148

,

diode du smd in4148

,

petite diode de signal 1n4148

Paquet en verre rapide à grande vitesse 1N4148 IN4148 de la diode de changement de petit signal DO-35

 

les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre 0

Dessin de produit

 

les diodes de commutation rapides de petit signal de 1N4148 IN4148 FONT le paquet 35 en verre 1

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
 
 
SYMBOLES
1N4148
UNITÉS
 Tension inverse maximale répétitive maximum
VRRM
100
VOLTS
 Tension maximum de RMS
VRMS
75
VOLTS
 La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel (9.5mm)   longueur d'avance à TA=25 C
JE (POIDS DU COMMERCE)
150
mAmps
 Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi   superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
IFSM
500
mAmps
 Tension en avant instantanée maximum à 10mA
VF
1,0
Volts
 Inverse maximum TA=25 actuel C VR=75V de C.C
 à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100 C VR=20V
IR
5,0
50
µA
 Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
trr
4,0
NS
 Capacité de jonction typique (NOTE 2)
CJ
4,0
PF
 Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
TJ, TSTG
-65 à +200

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
NOTES :
état 1.Test : IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured à 1,0 mégahertz et à tension inverse appliquée de 4,0 volts
 
CARACTÉRISTIQUES
Diode planaire épitaxiale de silicium
Diodes de changement
dissipation de puissance 500mw
Soudure à hautes températures garantie
250 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
 
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : Enveloppe DO-35 scellée en verre.
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,005 onces, 0,14 grammes (DO-35)
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4148
 
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Coordonnées
Changzhou Trustec Company Limited

Personne à contacter: Ms. Selena Chai

Téléphone: +86-13961191626

Télécopieur: 86-519-85109398

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