|
Détails sur le produit:
|
| VBO: | 28-36V | Type de VBO: | 32V |
|---|---|---|---|
| Paquet: | A-405 | IBOS: | 100μA |
| Type: | DIAC | Type de paquet: | Par le trou |
| Matériel: | Silicium | Puissance: | 150mW |
| Surligner: | diode 0.6mm de db3bl,405 une diode 0.6mm de Bl Db3,diode de db4bl |
||
|
CONDITION D'ESSAI
|
SYMBOLES
|
VALEUR
|
UNITÉS
|
|||
| Mn. | Type. | Maximum. | ||||
|
Tension de suite
|
C=22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLTS
|
|
Symétrie de tension de suite
|
C=22nF
|
I+VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
|
Tension de suite dynamique
|
(NOTE 1)
|
± I D'I D V
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Tension de sortie
|
DIAGRAM2
|
Vo
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Courant de suite
|
C=22nF
|
IBOS
|
100 |
mA
|
||
|
Temps de montée
|
DIAGRAM3 |
TR
|
1,5 |
Mme
|
||
|
Fuite actuelle
|
VR=0.5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
|
Dissipation de puissance sur le circuit imprimé
|
TA=65 C
|
Palladium
|
150 |
mW
|
||
|
Courant maximal répétitif de sur-état
|
tp=20ms
f=100Hz
|
ITRM
|
2 | |||
|
Résistances thermiques de jonction à ambiant
|
RQJA
|
400 |
℃/W
|
|||
|
Résistances thermiques de la jonction à mener
|
RQJL
|
150 | ℃/W | |||
|
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
