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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | Paquet: | DO-27 |
|---|---|---|---|
| trr: | 50ns | Tension en avant maximale: | 1.3V |
| Max. Forward Current: | 4A | Tension inverse maximale: | 600V |
| Surligner: | Diode MUR440,Diode de redresseur de MUR440 600v 4a,MUR420 diode 600v 4a |
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Dessin de produit
| SYMBOLES |
MUR
405
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MUR
410
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MUR
420
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MUR
440
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MUR
460
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MUR
480
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MUR
4100
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UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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4,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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125 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 6.0A
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VF | 0,89 | 1,3 | 1,7 |
Volts
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Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10
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IR
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5,0 50,0 |
µA | ||||||
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Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
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trr
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25 | 50 | 75 | NS | ||||
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Capacité de jonction typique (NOTE 2)
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CJ
|
65,0 | PF | ||||||
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Résistance thermique typique (NOTE 3)
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RθJA
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28,0 | ℃/W | ||||||
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-55 à +150
|
℃ | ||||||
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
