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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | paquet: | R-6 |
|---|---|---|---|
| Tension en avant maximale: | 1V | Max. Forward Current: | 10A |
| Température de fonctionnement: | -65 à +175℃ | Tension inverse maximale: | 1000V |
| Surligner: | diode de redresseur 10a10,Diode de redresseur de 10 ampères,diode 10a10 |
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| SYMBOLES |
10A05
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10A1
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10A2
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10A4
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10A6
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10A8
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10A10
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UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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10,0 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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500 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
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VF
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1,0 | VOLTS | ||||||
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Inverse maximum de C.C TA=25 actuel à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃
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IR
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10,0 100 |
µA
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Capacité de jonction typique (NOTE 1)
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CJ
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150,0 |
PF
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Résistance thermique typique (NOTE 2)
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RθJA
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10,0 | ℃/W | ||||||
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +175 | ℃ | ||||||
Dessin de produit
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
