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Détails sur le produit:
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| Matériel: | Silicium | trr: | 200ns |
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| Paquet: | DO-41 | Tension inverse maximale: | 600V |
| Max. Forward Current: | 1A | Tension en avant maximale: | 1.2V |
| Surligner: | diode de redresseur rapide de récupération 600v,FAITES la diode rapide Trr 200ns de la récupération 41,diode 1N4935 |
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Dessin de produit
| SYMBOLES | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | UNITÉS | |
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Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLTS |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | VOLTS |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLTS |
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃ | JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampères | ||||
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 30,0 | Ampères | ||||
Tension en avant instantanée maximum à 6.0A | VF | 1,2 | Volts | ||||
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||||
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) | trr | 200 | NS | ||||
Capacité de jonction typique (NOTE 2) | CJ | 15,0 | PF | ||||
Résistance thermique typique (NOTE 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -65 à +150 | ℃ | ||||
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
