|
Détails sur le produit:
|
| Matériel: | Silicium | trr: | 300ns |
|---|---|---|---|
| Tension inverse maximale: | 1000V | Max. Forward Current: | 1A |
| Tension en avant maximale: | 1.3V | Paquet: | DO-41 |
| Surligner: | diode de 1A 1000V FRD,Diode de FRD BA157,diode BA159 de 0.7mm |
||
| SYMBOLES | BA157S | BA158S | BA159S | ||
|---|---|---|---|---|---|
BA157 | BA15S | BA159 | UNITÉS | ||
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 400 | 600 | 1000 | VOLTS |
Tension maximum de RMS | VRMS | 280 | 420 | 700 | VOLTS |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 400 | 600 | 1000 | VOLTS |
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃ | JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampères | ||
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 30,0 | Ampères | ||
Tension en avant instantanée maximum à 6.0A | VF | 1,3 | Volts | ||
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) | trr | 150 | 250 | 500 | NS |
Capacité de jonction typique (NOTE 2) | CJ | 15,0 | PF | ||
Résistance thermique typique (NOTE 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -65 à +150 | ℃ | ||
Dessin de produit
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398
